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選擇MRAM最佳測試算法
嵌入式內(nèi)存測試和修復(fù)的挑戰(zhàn)是眾所周知的，包括最大程度地擴大故障覆蓋范圍以防止測試失敗以及使用備用元件來最大程度地提高制造良率。隨著
2020-10-10
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通用選擇器將大大提高MRAM存儲技術(shù)能力
MRAM存儲器可以抵抗高輻射，也可以在極端溫度條件下運行，并且可以防篡改。這使得MRAM存儲器適用于汽車和工業(yè)，軍事和太空應(yīng)用，這些對于MRAM存儲器開發(fā)人員來說是重要的部分。
2020-10-09
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FRAM低功耗設(shè)計使寫非易失性數(shù)據(jù)操作消耗更少的功耗
FRAM器件消耗的工作電流大約是EEPROM的1 3，而FRAM的待機 睡眠電流規(guī)格與EEPROM的待機 睡眠電流規(guī)格差不多。有功電流中的差異對功耗產(chǎn)生巨
2020-09-30
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新興記憶存儲MRAM保持精度并降低功耗
MRAM可以自然而然地在低電壓電平下引入誤碼率，從而在保持精度的同時進一步降低了功耗要求。關(guān)鍵在于確定最低電壓和最短時間的最佳精度。這轉(zhuǎn)化為最高的能源效率。
2020-09-29
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Everspin MRAM替換FRAM
可靠性考慮比較FRAM架構(gòu)采用鐵電材料作為存儲器件，這些材料具有一個固有的電偶極子，該偶極子在外部電場的作用下轉(zhuǎn)換為相反的極性。 FRAM
2020-09-28
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實例說明寫入FRAM的零時鐘周期延遲的影響
一個典型的EEPROM需要5毫秒的寫周期時間，以將其頁面數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到非易失性EEPROM內(nèi)。當(dāng)需要寫入幾千字節(jié)的數(shù)據(jù)時，會導(dǎo)致寫入時間較長。相比之下的FRAM不會使這種寫操作變慢;
2020-09-27
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